Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (4)Реферативна база даних (26)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Генцарь П$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 8
Представлено документи з 1 до 8
1.

Генцарь П. О. 
ІЧ-спектроскопія високоомних монокристалів CdTe (111) [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, М. І. Бойко, М. С. Заяць, О. М. Стрільчук, Ю. М. Насєка // Нові технології. - 2012. - № 4. - С. 3-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/NewTech_2012_4_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 204.137 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Генцарь П. О. 
Морфологічні та оптичні дослідження тонких плівок InSe/n-Si [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, М. В. Вуйчик, М. С. Заяць, М. П. Киселюк, Ц. А. Криськов, І. В. Кругленко, К. В. Свєженцова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 1. - С. 59-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_1_11
Надано результати досліджень впливу кристалографічної орієнтації поверхні підкладки на морфологічні та оптичні властивості тонких плівок InSe. Плівки товщиною 15 і 45 нм вирощено за допомогою методу газофазної епітаксії на поверхні монокристалічного кремнію з кристалографічними орієнтаціями {100} та {111}. За допомогою методу атомно-силової мікроскопії встановлено, що вирощені плівки характеризуються невпорядкованою зернистою структурою, розмір зерна яких збільшується у разі збільшення товщини плівки. Оптичні дослідження показали, що за такої товщини плівок їх фізичні параметри є параметрами, характерними для аморфних плівок.
Попередній перегляд:   Завантажити - 492.829 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Генцарь П. О. 
Оптичні дослідження високоомних монокристалів CdTe та твердих розчинів Cd1-xZnxTe [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, С. М. Левицький, В. А. Гнатюк, М. С. Заяць, О. М. Стрільчук, Ю. М. Насєка // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 4. - С. 874-878. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_4_6
Досліджено оптичні властивості (спектри пропускання в діапазоні 800 - 1100 нм, спектри пропускання та відбивання в діапазоні 1,4 - 25 мкм і спектри фотолюмінесценції за температури T = 5 K в енергетичному діапазоні 1,35 - 1,7 еВ) високоомних монокристалів CdTe орієнтації (111) з питомим опором <$E rho~=~(2~symbol Ш~5)~10 sup 9> Oм <$E cdot> cм, легованих хлором, так і твердих розчинів Cd1-xZnxTe (x = 0,1) з питомим опором <$E rho~=~5~cdot~10 sup 9~-~3~cdot~10 sup 10> Ом <$E cdot> см. Визначено, що фундаментальний оптичний перехід <$E E sub 0> для CdTe за температури 300 K дорівнює 1,44 і 1,5 еВ для Cd1-xZnxTe, а температурний коефіцієнт зміни ширини забороненої зони <$E dE sub g "/" dT> рівний <$E 5,32~cdot~10 sup -4> еВ/К для CdTe та <$E 5,2~cdot~10 sup -4> еВ/К для Cd1-xZnxTe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 225.808 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Генцарь П. О. 
Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів Ge1-хSix [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, С. М. Левицький, І. Б. Янчук, С. Р. Лаворик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 2. - С. 303-305. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_2_15
Проведено оптичні дослідження (спектри відбивання та пропускання) твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) до та після лазерного опромінення в діапазоні енергій 46,6 до 163,5 мДж/см<^>2. Показано, що в області фундаментального оптичного переходу даного матеріалу відбиваюча здатність зменшується, а пропускання збільшується зі збільшенням енергії лазерного опромінення.Виміряно спектри пропускання та відбивання монокристалів n-Si(100); n-GaAs(100); твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) у діапазоні (0,2 - 1,7) x 10<^>-6 м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі <$E lambda~=~532> нм. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників, що мають дефектну структуру та володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв'язувати домішки.Виміряно спектри пропускання та відбивання монокристалів n-Si(100); n-GaAs(100); твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) у діапазоні (0,2 - 1,7) x 10<^>-6 м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі <$E lambda~=~532> нм. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників, що мають дефектну структуру та володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв'язувати домішки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 145.206 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Генцарь П. О. 
Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності напівпровідників [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, С. М. Левицький, В. А. Гнатюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 856-861. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_30
Наведено результати оптичних досліджень спектрів відбивання монокристалів n-Si(100) і CdTe(111) у діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 164 мДж/см2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів за даної лазерної обробки. Даний інтегральний ефект пояснюється відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E n tilde sub s~=~n sub s~+~i chi sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу <$E n tilde sub nu~=~n sub nu~+~i chi sub nu>). Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si та CdTe за лазерного опромінення.Наведено результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-GaAs(100) з питомим опором 10 Ом-см (за кімнатної температури) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 108 мДж/см<^>2. Експериментально показано збільшення відбивальної здатності досліджуваних кристалів за даної лазерної обробки. Даний інтегральний ефект пояснено відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E n tilde sub s~=~n sub s~+~i chi sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу <$E n tilde sub v~=~n sub v~+~i chi sub v>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 176.069 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Генцарь П. О. 
Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності монокристалічного n-GaAs(100) [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, С. М. Левицький // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 11. - С. 947-950. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_11_6
Наведено результати оптичних досліджень спектрів відбивання монокристалів n-Si(100) і CdTe(111) у діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 164 мДж/см2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів за даної лазерної обробки. Даний інтегральний ефект пояснюється відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E n tilde sub s~=~n sub s~+~i chi sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу <$E n tilde sub nu~=~n sub nu~+~i chi sub nu>). Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si та CdTe за лазерного опромінення.Наведено результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-GaAs(100) з питомим опором 10 Ом-см (за кімнатної температури) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 108 мДж/см<^>2. Експериментально показано збільшення відбивальної здатності досліджуваних кристалів за даної лазерної обробки. Даний інтегральний ефект пояснено відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об'єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару <$E n tilde sub s~=~n sub s~+~i chi sub s> відрізняється від комплексного показника заломлення об'єму матеріалу <$E n tilde sub v~=~n sub v~+~i chi sub v>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 475.808 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Генцарь П. О. 
Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, С. М. Левицький // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2016. - Т. 7, № 2. - С. 186-94. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2016_7_2_9
Надано результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-Si(100) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 108 мДж/см<^>2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів за такої лазерної обробки. Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si у процесі лазерного опромінення. Проведено оптичні дослідження (спектри відбиття та пропускання) твердих розчинів Ge1-xSix (x = 0,85) до та після лазерного опромінення в діапазоні енергій 46,6 - 163,5 мДж/см<^>2. Показано, що в області фундаментального оптичного переходу цього матеріалу відбиваюча здатність зменшується, а пропускання збільшується зі збільшенням енергії лазерного опромінення.
Попередній перегляд:   Завантажити - 651.337 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Генцарь П. О. 
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0 [Електронний ресурс] / П. О. Генцарь, С. М. Левицький, О. В. Стронський // Український фізичний журнал. - 2021. - Т. 66, № 3. - С. 260-264. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2021_66_3_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 722.21 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського